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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)
급속 열공정 장비
RTP
| GBTP No. | - |
|---|---|
| NFEC등록번호 | NFEC-2007-10-003248 |
| I-tube등록번호 | 0205-D-0036 |
| 보유기관 | 포항공과대학교 |
| 연락처 | 054-279-8091 |
| 대표번호 | - |
장비정보
| 모델명 | Jet First 100/150 | 제작사 | Jipelec |
|---|---|---|---|
| 취득일자 | 2002-05-31 | 취득금액 | 79,876,000원 |
| 표준분류 | 전기/전자장비 > 분석장비 > 달리 분류되지 않는 분석장비 | 활용용도 | 시험 |
| 장비위치 |
경상북도 포항시 남구 청암로 77 (지곡동) 산27 포항공과대학교 LG연구동 F1 110
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| 장비설명 |
현재의 열처리 기술은 furnace를 사용하여 1000℃ 정도의 고온에서 수십분 또는 수시간 수행되고 있어 불순물 이온의 극심한 재 분포 현상이 문제가 되고 있다. 이러한 현상은 정밀한 IC-Device의 제작에 문제점을 야기시킨다. 이러한 불필요한 불순물 이온의 재 분포 없이 주입된 불순물 이온을 충분히 활성화 시킬 수 있는 열처리의 시간과 온도의 정밀한 조정이 가능한 급속 열처리 기술이 요구되어왔다.
급속 열처리 장치(RTA 시스템 혹은 RTP 시스템)는 최근에 개발되어 사용되고 있는 반도체열처리 장비로서 고성능 고신뢰성 안정성 등이 요구되는 장비이다. 최근 세계의 주요 반도체 공정장비 제조업체들이 다양한 모델을 생산하여 공급하고 있고 국내의 대부분의 반도체 소자 업체에서도 막대한 예산을 투입하여 수입사용하고 있다. 그러나 국내에서는 아직 실험실 수준을 벗어나지 못하고 있고 수입 장비에 비해 성능과 신뢰도 면에서 아주 떨어져 현재까지 상품화되지 못하고 있다. 급속 열처리 장치의 기본적인 요구 조건은 웨이퍼의 가열과 냉각이 가능한 빨리(warming : 1000 ℃ / 30 sec 이상 cooling : 80 ℃ / sec 이상) 이루어져야 하고 열에너지가 웨이퍼 전체 표면에 균일하게 제공되어야 한다. 또한 열처리 공정의 시간과 온도 조절이 정밀해야 하고 정상 상태의 온도와 시간은 가능한 넓은 범위를 가져야 한다. 이러한 요구조건에 부응하는 급속 열처리 시스템의 열원으로는 마이크로웨이브 레이저 electron빔 graphite heater 아아크램프 텅스텐-할로겐램프 태양에너지 등이 있다. 이들 중 현재 상업용 장비의 열원으로는 열효율과 throughput이 우수한 텅스텐 할로겐램프와 아아크램프등의 incoherent램프들이 주로 사용된다. 급속 열처리 공정의 응용은 단결정과 다결정 실리콘의 불순물 주입 후의 anneal 단결정과 다결정 실리콘의 oxidation silicide의 형성과 anneal PSG와 BPSG층의 reflow 및 contact형성 등의 거의 모든 열처리 과정에 사용된다. 또한 각종 기체 분위기에서의 anneal 및 빠른 산화과정에도 사용된다. 급속 열처리 공정은 앞으로도 고정밀 고집적 회로 및 Device의 제작에 대단히 중요한 부분을 차지할 것이며 각종 연구에서도 폭넓게 사용될 것이다. 또한 최근의 연구에 따르면 graphite로부터 graphene을 제조하는 장치로써 RTP의 응용분야가 확대되고 있다. |
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| 구성 및 기능 |
Up to 200 mm wafers - Cold wall chamber technology - Pyrometer and thermocouple temperature control - Atmospheric and vacuum process capability - One purge gas line - Up to 3 gas lines with MFC - PC control - Vacuum valve and vacuum gauge - Temperature
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| 사용/활용예 |
소자 annealing 장비
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| 이용안내 | |||
| 유의사항 | |||
이용료안내
| 담당자에게 문의하시기 바랍니다. |
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