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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)
플라즈마 식각장치
PLASMA ETCHING SYSTEM
| GBTP No. | - |
|---|---|
| NFEC등록번호 | NFEC-2007-11-048071 |
| I-tube등록번호 | - |
| 보유기관 | 포항공과대학교 |
| 연락처 | 054-279-5549 |
| 대표번호 | - |
장비정보
| 모델명 | 모델명 없음 | 제작사 | Senius |
|---|---|---|---|
| 취득일자 | 2006-04-10 | 취득금액 | 42,800,000원 |
| 표준분류 | 기계가공/시험장비 > > | 활용용도 | 시험 |
| 장비위치 |
경상북도 포항시 남구 청암로 77 (지곡동) 산27 포항공과대학교 제1공학관
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| 장비설명 | ICP-RIE 는 Inductive coupled plasma reactive ion etching의 약자로 건식식각의 하나이다. ICP를 이용하여 식각용 가스를 플라즈마 상태로 만들고 웨이퍼 쪽에 전압을 가하여 플라즈마 상태의 가스를 웨이퍼로 유도하여 충돌시키는 방법으로 식각을 한다. 이 때 식각은 플라즈마 상태의 가스에 의한 물리적인 식각과 가스와의 화학 반응에 의한 화학적 식각이 함께 이루어져서 방향성 조절이 가능하다. 따라서 사용 목적에 따라 적합한 식각용 가스를 사용해야 한다. 가스의 유량 및 종류 가해주는 바이어스 등을 조절함으로써 목적에 맞게 식각할 수 있다. 주로 LED 제작 공정에 사용되며 GaN를 식각하기 위해서 Cl2와 BCl3 가스가 주로 사용된다. | ||
| 구성 및 기능 | |||
| 사용/활용예 | |||
| 이용안내 | |||
| 유의사항 | |||
이용료안내
| 담당자에게 문의하시기 바랍니다. |
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