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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)
감광제 제거 시스템
PR Asher
| GBTP No. | - |
|---|---|
| NFEC등록번호 | NFEC-2008-06-071055 |
| I-tube등록번호 | 0709-C-0066 |
| 보유기관 | 포항공과대학교 |
| 연락처 | 054-279-0227 |
| 대표번호 | - |
장비정보
| 모델명 | YES-CV200RFS | 제작사 | Yield Engineering Systems |
|---|---|---|---|
| 취득일자 | 2007-09-28 | 취득금액 | 130,077,761원 |
| 표준분류 | 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 식각장비 | 활용용도 | 시험 |
| 장비위치 |
경상북도 포항시 남구 청암로 77 (지곡동) 산27 포항공과대학교 나노기술집적센터 F2 클린룸
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| 장비설명 |
감광제 제거 시스템(PR Asher)의 특징은 다음과 같습니다.
반도체 패턴(pattern) 형성 이후 잔류 및 기본적인 감광제를 제거하는 역할을 합니다. ▶Pattern Develop 후 잔류 Resist 제거 ▶Etching 공정 후 Masking Layer PR 제거 |
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| 구성 및 기능 |
구성및성능
▶Single wafer process ; 2" 3" 100㎜ 125㎜ 150㎜ and 200㎜ ▶Dual wafer process ; 100㎜ ▶Typical strip rate : 7000~8000Å/min @150℃ Max. 1.5㎛/min ＜10% uniformity ▶Process Gas : O2 CF4 H2/N2 |
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| 사용/활용예 |
활용분야
▶Pattern Develop 후 잔류 Resist 제거 ▶Etching 공정 후 Masking Layer PR 제거 ◆ Process Attributes ▶ Six recipes with loop and link capability or more ▶ Single wafer process ; 2" 3" 100㎜ 125㎜ 150㎜ and 200㎜ or more ▶ Dual wafer process ; 100㎜ or more ▶ Loop process temperature feedback to prevent overheating ▶ Temperature controlled wafer hot plate for etch rate uniformity and control ▶ Typical strip rate : 7000~8000Å/min @150℃ Max. 1.5㎛/min <10% uniformity or more ▶ Average vent N2 consumption : 0.3ft3 ▶ Vent N2 process flow : 1.7SCFM ▶ Process gas flow ⇒ 0.6×10-3 SCFM @ 12SCFM pump speed rating 150mTorr process pressure ⇒ 1.2×10-3 SCFM @ 19SCFM pump speed rating 150mTorr process pressure ▶ Three process gases standard forth gas option or more ▶ Up to four optional MFC's |
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| 이용안내 | |||
| 유의사항 | |||
이용료안내
| 담당자에게 문의하시기 바랍니다. |
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