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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)

실리사이드용 급속열처리 장치

RTP for Silicide

GBTP No. -
NFEC등록번호 NFEC-2009-02-071227
I-tube등록번호 0901-C-0120
보유기관 포항공과대학교
연락처 054-279-0226
대표번호 -

장비정보

모델명 AST 2800 제작사 Mattson
취득일자 2009-01-19 취득금액 99,000,000원
표준분류 기계가공/시험장비 > 열유체장비 > 전기/소결로 활용용도 시험
장비위치
경상북도 포항시 남구 청암로 77 (지곡동) 산27 포항공과대학교 나노기술집적센터 F2 박막룸
장비설명 실리사이드용 급속열처리 장치의 특징
고에너지의 광원을 Wafer에 복사함으로서 Wafer를 열처리함. Wafer의 온도를 급속하게 증가시키고 강하시켜 Thermal Budget을 최소화 할 수 있음.
구성 및 기능 구성및성능
A. 장비성능 1) Wafer Size : 8 inch wafer 2) Temp. Range : 450 ~ 1300℃ 3) Temp. Uniformity and Repeatability : < ± 3℃ 4) Ramp Up/down Rate : 150 / -100 ℃/sec 5) Particle : <10ea>@ 0.2um 3mm edge exclusion 6) Gas Circuit: 6-channel Process Gas(N2 O2 NH3 Ar…) B. 공정성능 1) Rs Uniformity(1sigma) <5%
사용/활용예 위의 장비 (실리사이드용 급속열처리 장치)의 활용분야는 다음과 같습니다.
Ni Co Ti Sicidation Adhesion Metal Thin Film Thermal Anneal
이용안내
유의사항

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