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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)
고온 열처리로
High Temperature Anneal Furnace
| GBTP No. | - |
|---|---|
| NFEC등록번호 | NFEC-2014-06-188885 |
| I-tube등록번호 | - |
| 보유기관 | 포항공과대학교 |
| 연락처 | 054-279-8891 |
장비정보
| 모델명 | 모델명 없음 | 제작사 | Ulvac |
|---|---|---|---|
| 취득일자 | 2014-02-20 | 취득금액 | 753,651,598원 |
| 표준분류 | 전기/전자장비 > 전력발생장비 > 직류전원공급장치 | 활용용도 | 시험 |
| 장비위치 |
경상북도 포항시 남구 청암로 77 (지곡동) 산27 포항공과대학교 나노기술집적센터 F2
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| 장비설명 | 현재 국내에 연구 개발 및 양산을 목적으로 한 SiC 전력소자용 고온 어닐 퍼니스 장비가 없으며 SiC 전력소자공정진행에 있어서 고어닐용 장비가 없으면 Dopant 이온주입 후 열처리를 통한 Dopant의 재배열이 이루어지 않아 원하는 저항을 얻을 수가 없게 되어 SiC전력 소자 연구개발이 불가능함(SiC의 경우 열처리온도가 Si 반도체와 달리 1800도 이상의 고온에서만 가능함) | ||
| 구성 및 기능 |
SiC 전력반도체 공정개발(연구과제 수행) 및 산업체 양상지원 용동
SiC 전력 반도체 공정 중 dopant 이온 주입 후 고온에서 열처리를 위한 목적으로 사용됨 induction coli를 이용하여 1850도까지 1시간 내에 상승 가능하며 4.6인치 SiC wafer를 최대 25장 진행가능하며 total process time은 5시간 내외로 진행 가능 |
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| 사용/활용예 | SiC 전력 반도체 개발 및 연구 과제 수행을 하며 연구 과제 완료 후 SiC 양산업체 지원 및 지속적인 공정 개발 및 서비스를 목적으로 활용함. 또한 dopant 이온 주입 후 다양한 고온에서 열처리를 통한 불순물 농도 제어가 가능하며 각종 anneal 공정에도 활용 가능함 | ||
| 이용안내 | |||
| 유의사항 | |||
이용료안내
| 담당자에게 문의하시기 바랍니다. |
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