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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)
4인치 마그네트론 금속 산화물 스퍼터링 시스템
4inch Gun Sputtering System Concept
| GBTP No. | - |
|---|---|
| NFEC등록번호 | NFEC-2016-04-209376 |
| I-tube등록번호 | - |
| 보유기관 | (재)나노기반소프트일렉트로닉스연구단 |
| 연락처 | 054-279-5575 |
장비정보
| 모델명 | SPR-5006 | 제작사 | 에스엔텍 |
|---|---|---|---|
| 취득일자 | 2016-04-25 | 취득금액 | 84,500,000원 |
| 표준분류 | 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 스퍼터 | 활용용도 | 시험 |
| 장비위치 |
경상북도 포항시 남구 청암로 77 포항공과대학교 (재)나노기반 소프트일렉트로닉스 연구단 LG연구동 F1 110
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| 장비설명 | 수십나노~수마이크로미터까지의 금속 산화물 박막 sputtering이 가능한 진공 스퍼터링 시스템으로 금속 산화물, 금속, 일반 산화물을 포함하는 반도체 공정용 모든 스퍼터 타겟 증착이 가능합니다. 현재 RF sputter gun만 존재하며 추후 2~3개의 gun을 추가할 수 있도록 비어있는 port를 포함합니다. sputtering 두께 편차는 5%이하입니다. | ||
| 구성 및 기능 |
1. Sputter chamber
재질: Stainless steel Vacuum pump: Turbo molecule pump(700 L/s 이상) Valve: Auto pressure control throttle Substrate size: 6 inch wafer (1개) Substrate heating: Max. 450도씨 (auto PID control) Substrate rotation: 5~20 rpm (조절 가능) Substrate motion: Target source와의 거리 조절 가능 (위치센서 포함) Gas supply: Ar & O2 (MFC) , N2 (purge & vent) 2. Sputter gun Metal oxide 증착이 가능한 600 W RF magnetron type gun 1 set 추후 sputter gun을 추가할 수 있도록 2~3개의 비어있는 port 포함 추후 sputter gun을 추가시 co-sputtering이 가능 3. Performance 진공도: Chamber vent후 6시간 이내에 5x10^(-6) torr 이하의 진공도 도달 (vacuum gauge로 측정) Plasma 발생을 위한 진공도: Metal oxide target이 장착된 상타에서 2 mT 이하의 진공도에서 plasma가 안정된 상태로 유지됨. 즉, 2 mT 이하의 진공도에서 metal oxide target의 sputtering 진행 가능. Film uniformity: 6 inch wafer 위에 300 nm 증착 시 5% 미만의 두께 편차 ( [(Max-Min)/(Max+Min)] x 100 ) Substrate heating: 6 inch wafer 위에 300도씨 가열 시 5% 미만의 온도 편차 ( [(Max-Min)/(Max+Min)] x 100 ) Sputter gun의 cooling이 충분하여, 3 um 두께의 film을 1-step으로 sputtering할 때 지속적으로 안정된 상태의 플라즈마가 유지됨. |
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| 사용/활용예 | 수십나노~수마이크로미터까지의 금속 산화물 박막 sputtering이 가능한 진공 스퍼터링 시스템으로 금속 산화물, 금속, 일반 산화물을 포함하는 반도체 공정용 모든 스퍼터 타겟 증착이 가능합니다. | ||
| 이용안내 | |||
| 유의사항 | |||
이용료안내
| 담당자에게 문의하시기 바랍니다. |
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