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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)
원자층 이종구조 합성용 클러스터 형 금속유기 화학기상 증착 시스템
Cluster-type MOCVD system for synthesis of atomic layer heterostructures
| GBTP No. | - |
|---|---|
| NFEC등록번호 | NFEC-2016-11-212657 |
| I-tube등록번호 | - |
| 보유기관 | 기초과학연구원 |
| 연락처 | 054-279-9878 |
장비정보
| 모델명 | CMR-5004 | 제작사 | 에스엔텍 |
|---|---|---|---|
| 취득일자 | 2015-12-31 | 취득금액 | 264,000,000원 |
| 표준분류 | 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 유기금속화학증착장비 | 활용용도 | 시험 |
| 장비위치 |
경상북도 포항시 남구 청암로 77(지곡동) 공학1동 406-1 포항공과대학교 공학1동 F4층 406-1
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| 장비설명 | 분자선 결정성장 시스템 (MBE) 1set 와 금속유기 화학기상 증착시스템 (MOCVD) 1set를 기 확보 된 웨이퍼 이송장치 (Transfer module)를 이용하여 Cluster 형태로 구성되어 분자선 결장시스템에서는 초고진공 반응관에서 증발된 재료가 분자나 원자형태로 빔을 형성하며 기판위에 도달시켜 고품질 저차원 결정소자를 원자크기의 정밀도로 합성하고 금속유기 화학기상 증착시스템에서는 금속 유기 화합물을 전구체로 사용하고 이를 기화시켜 다양한 유, 무기 저차원 결정 소재를 대면적에서 합성한다. | ||
| 구성 및 기능 | MOCVD SYSTEM : Process Chamber,Effusion Cell Source & Power, Thickness Monitor, Load-lock Chamber, System Controller, System Utility로 구성. MBE SYSTEM : Process Tube, Gas Supply Unit, Heating Unit, System Utility로 구성. 4인치 이상 크기의 웨이퍼가 로딩 가능한 stainless steel 재질의 반응 챔버 (cold wall type) 와 Circular type의 반응 튜브 (hot wall type) 가 클러스터 형태로 구성되어야 하며, 상호 유기적 또는 독립적으로 제어 가능한 시스템이다. hot wall type의 경우 Process Chamber 의 압력이 5X10-5 Torr 까지 도달하는데 약 6분 20초가 소요되며 Maxium 1100℃ 까지 사용 될 수 있다. Cold wall type 의 경우 Process Chamber의 압력이 5X10-6 Torr 까지 170분 안에 도달한다. 온도는 Maximum 600℃ 까지 사용 될 수 있다. | ||
| 사용/활용예 | |||
| 이용안내 | |||
| 유의사항 | |||
이용료안내
| 담당자에게 문의하시기 바랍니다. |
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