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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)

초고진공화학기상증착기

UHV-CVD

GBTP No. GBREMS-20-0071
NFEC등록번호 NFEC-2019-01-253406
I-tube등록번호 -
보유기관 포항공과대학교 산학협력단
연락처 054-279-0226

장비정보

모델명 Eureka 2000 제작사 주성엔지니어링
취득일자 2008-02-29 취득금액 387,000,000원
표준분류 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 플라즈마기상화학증착장비 활용용도 시험
장비위치
경상북도 포항시 남구 청암로 77 포항공과대학교 산학협력단 포항공과대학교 산학협력단 클린룸
장비설명 ·8 inch wafer
· 에피 성장 (SEG, SiGe, Ge, SiC)
· 기판온도 750℃까지 진행
· Uniformity 1% 이하
구성 및 기능 Wafer를 가열하여 반응 가스를 일정 압력으로 유지하여 Wafer 위에 원하는 박막을 기판의 결정방향과 동일한 에피층을 증착
사용/활용예 Si, SiGe, Ge의 Epi 성장 B, As 등 in-situ doping
이용안내
유의사항

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