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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)
전자후방산란회절기
Electron Back Scattered Diffraction
| GBTP No. | - |
|---|---|
| NFEC등록번호 | NFEC-2017-10-240418 |
| I-tube등록번호 | - |
| 보유기관 | 안동대학교 |
| 연락처 | 054-820-7321 |
장비정보
| 모델명 | AztecHKL NordlysNano EBSD | 제작사 | Oxford Instruments |
|---|---|---|---|
| 취득일자 | 2017-08-17 | 취득금액 | 205,200,570원 |
| 표준분류 | 화합물전처리/분석장비 > 분광분석장비 > X-선회절분석기 | 활용용도 | 시험 |
| 장비위치 |
경상북도 안동시 경동로 1375 (송천동) 388번지 안동대학교 공동실험실습관 F1 111
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| 장비설명 | 표면 거칠기 0.1um 이하로 연마된 시료 표면에 전자빔을 주사하여 표면에서 방출되는 결정질 물질의 Kikuchi pattern을 분석하여 시료의 조성상을 분석하며 Mapping 기능으로 일정 영역에서의 결정면, grain등의 크기와 orientation, pole figure등을 측정하는 장비임. | ||
| 구성 및 기능 | 1. High Sensitive Energy Dispersive Spectrometer 1) Silicon Drift Detector: LN2 free: 2) Sensor Size: 50mm2 or bigger 3) Resolution: 60eV or better at CKa, 70eV or better at FKa and 130eV or better at MnKa 4) Detector stability: must be 〈1eV between 1Kcps and 100Kcps 5) Low energy performance: Detector of elements from Z=4(Be) 6) Window: Ultra thin polymer window 7) ISO 9001 certified 8) EMC approved 9) Vacuum sensor should shut-off the detector when the chamber is vented 2. High Speed Electron backscatter detector 1) Resolution: 〉 640×480 pixel 2) Pixel Binning: Selectable on-chip binning mode(1×1, 2×2, 4×4, 8×8, 16×16) 3) Forescatter Detector: 〉 4 diode 4) Data collection rates: 〉 1,580 indexed points per second 5) Precision: less than 0.08 deg 6) Min. probe current: 100pA 7) Simultaneous EDS and EBSD speed: 〉1,580 | ||
| 사용/활용예 |
1. Energy Dispersive Spectrometer
전자현미경의 시료실에 검출기를 부착하여 사용되는 미소영역분광분석장치로서 전자현미경의 전자총에서 전자빔이 시료의 표면을 주사할 때, 전자와 시편의 상호작용에 의해 방출되는 특성 에너지들을 반도체 소자로 이루어진 검출기를 이용하여 에너지 준위별로 분광시킴으로써 관측되는 미소영역에 대한 정성/정량분석을 할 수 있으며, 시료의 조성에 따른 점 분석, 선 분석, 면 분석 등도 할 수 있다. 2. Electron Back Scattered Diffraction 전자현미경에 부착되어 사용하는 전자후방산란회절 기기이며, 전자현미경의 전자총에서 전자빔이 분석 시료의 표면을 주사할 때 전자와 시편의 상호작용에 의해 방출되는 후방산란회절전자를 검출하는 장치로서 이를 통해 미소영역 분석이 가능하다. 이외에 시료의 점분석, 선분석, 면분석 등을 할 수 있으며 최종적으로 시료 내부 물질의 구조 분석을 하여 다양한 재료의 특성 등을 연구하는 데 쓰인다. |
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| 이용안내 | |||
| 유의사항 | |||
이용료안내
| 담당자에게 문의하시기 바랍니다. |
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