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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)
반도체 파라미터 분석기
Semiconductor parameter analyzer
| GBTP No. | - |
|---|---|
| NFEC등록번호 | NFEC-2018-10-246415 |
| I-tube등록번호 | - |
| 보유기관 | 포항공과대학교 |
| 연락처 | 054-279-8891 |
장비정보
| 모델명 | 4200A-SCS | 제작사 | Keithley Instruments |
|---|---|---|---|
| 취득일자 | 2018-10-10 | 취득금액 | 47,410,000원 |
| 표준분류 | 전기/전자장비 > 측정시험장비 > 전압/전류/전력측정시험장비 | 활용용도 | 시험 |
| 장비위치 |
경상북도 포항시 남구 청암로 77 포항공과대학교 C5 융합동 F3 332
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| 장비설명 |
(1) 반도체 소자 전류-전압(I-V) 측정
초기소자나 재료 테스트에 사용되고, 소스 전류 및 소스 전압과 동시에 전류 및 전압 정밀하게 측정한다. sub-ρA 누설 전류 및 μΩ저항을 포함한 I-V측정. (2) 반도체 소자 커패시턴스-전압(C-V) 측정 도핑 농도와 프로파일, 캐리어 수명, 산화물 두께, 인터페이스 트랩농도 같은 다양한 반도체 파라미터를 측정. (3) 반도체 소자 펄스형 I-V 측정 기기 특성화 과정에서 발생하는 기기의 자가 발열 방지 또는 전하 트랩 효과 최소화함으로써 DC 신호 대신에 좁은 펄스와 낮은 듀티 사이클 펄스를 사용 함으로써 성능을 유지하면서 중요한 파라미터들을 추출할 수 있음 과도 I-V 측정을 사용하여 동적 특성을 연구하기 위해 시간 영역에서 초고속 전류 또는 전압 파형을 캡쳐하여 활용할 수 있음 (4) 소규모 회로인 인버터, 링 오실레이터, 기본 로직 회로의 특성 분석 |
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| 구성 및 기능 |
○ DC 전류-전압 (I-V) 측정
- Maximum Units per Chassis: 9. - Voltage Range: ±210V, 4 ranges from 200mV to 210V full scale. - Basic Voltage Accuracy: 0.01% measure, 0.02% source. - Voltage Resolution: 0.1μV to 100μV. - Current Range: ±1A, 8 ranges from 100nA to 1A full scale. - Basic Current Accuracy: 0.03% measure, 0.04% source. - Current Resolution: 0.1pA to 100pA. - With Optional 4200-PA: Adds 5 low current ranges with resolution down to 0.1fA. ○ 캐퍼시턴스-전압 (C-V) 측정 - Measurement Parameters: cp-G, Cp-D, Cs-Rs, Cs-D, R-jX, Z theta. - Frequency Range: 1kHz to 10MHz variable. Minimum Resolution: 10kHz, 1MHz depending on frequency range. Source Frequency Accuracy: ±0.1% - Measurement Ranges: 100fF to 100μF typical full scale. - Typical Resolution: 1aF, 1nanoSiemens, 0.001 degree. - AC Signal: 10mV to 100mV programmable. Resolution: 1mVrms. Accuracy: ±(10.0% + 1mVrms) unloaded (at rear panel). - DC Bias: ±30V on either High or Low outputs (±60V differential), 10mA max current. DC Voltage Bias Range: ±30V Resolution: 1.0mV. - Sweep Characteristics: Available Sweep Parameters: DC bias voltage, frequency. AC Voltage ○ 펄스형 I-V 측정 - Channels per Unit: 2 independent or synchronized. - Voltage Range: ±40V maximum (into high impedance), 2 ranges of 10V and 40V. - Voltage Resolution: 250μV, 750μV. - Current Range: ±800mA, 4 ranges from 100μA to 800mA. - Basic Current Measure Accuracy: 0.25%. - Pulse Waveform Timing: Pulse width from 60ns to 999ms in 10ns steps. Other timing parameters are adjustable from 20ns to 999ms in 10ns steps. - Core A/D Converter: Two per channel (measure I and V simultaneously), 4 per unit, 200 MSa/s sample rate, 14 bits, 1MSa buffer per A/D. - With Optional 4225-RPM Remote Amplifier/Switch: Adds 4 low current ranges 100nA, 1μA, 10μA, 1mA. |
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| 사용/활용예 |
- 유기 반도체를 기반으로 한 트랜지스터 및 회로를 제작하는 연구를 진행함에 있어 소자의 특성을 분석하는 것은 필수적인 과정으로 반도체 특성 분석기는 필수적인 장비입니다. 특히, 본 연구실은 다양한 유기 반도체 물질로 트랜지스터를 제작하는 연구를 수행하기에 반도체 특성 분석기는 매우 활용도가 높은 장비입니다.
또한, 본 장비는 소규모 회로인 인버터, 링 오실레이터, 기본 로직 회로의 특성을 분석하기 위해 활용될 수 있는 이점이 있습니다 |
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| 이용안내 | |||
| 유의사항 | |||
이용료안내
| 담당자에게 문의하시기 바랍니다. |
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