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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)
신규 원자층박막증착(Atomic Layer Deposition) 공정 장비
Atomic Layer Deposition (ALD)
| GBTP No. | GBREMS-20-0044 |
|---|---|
| NFEC등록번호 | NFEC-2019-10-258202 |
| I-tube등록번호 | - |
| 보유기관 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 연락처 | 054-279-5123 |
장비정보
| 모델명 | Lucida D100 | 제작사 | (주)엔씨디 |
|---|---|---|---|
| 취득일자 | 2019-09-24 | 취득금액 | 81,400,000원 |
| 표준분류 | 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 원자층증착장비 | 활용용도 | 시험 |
| 장비위치 |
경상북도 포항시 남구 청암로 67 (효자동) 산32 포항산업과학연구원 3실험동 Fnull 3210호
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| 장비설명 | 100 nm ~ 200 nm 웨이퍼에 ALD 연구를 위한 thin film 공정을 위한 장비이다. Al2O3, ZnO, HfO2,ZrO2, TiO2와 같은 물질을 증착할 수 있다. | ||
| 구성 및 기능 |
본 장비는 Traveling wave type의 증착방식 구조를 가지며 기판크기는 6인치까지 장착
이 가능하고 히터온도는 최대 350℃(기판온도 기준 300℃)까지 승온이 가능하며 PID방식 으로 제어한다. 온도균일도는 ± 2℃ (기판온도 기준)이며 증착막 두께균일도는 ± 2% (Al2O3, 30nm두께, 1-sigma측정기준)를 보장한다. 진공도는 펌핑 후 1시간 뒤 체크 시 5 X 10E-3Torr이하로 유지되어야하며 leak rate는 5 × 10-8 torr*l/s수준을 요구한다. 제어시스템은 PC를 기반으로 수동 및 자동제어가 가능하도록 하여 사용자가 원하는 Recipe를 구성할 수 있도록 GUI를 구성한다. |
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| 사용/활용예 | 본 장비는 산화물(Al2O3 외) 박막제작을 위한 장비로서 다양한 전구체(Precursor) 및 반응체(Reactants)를 이용하여 실리콘기판위에 원자층 단위로 박막을 증착하는 시스템이다. | ||
| 이용안내 | |||
| 유의사항 | |||
이용료안내
| 담당자에게 문의하시기 바랍니다. |
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