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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)
반도체 노광장비
KrF Scanner
| GBTP No. | GBREMS-20-0234 |
|---|---|
| NFEC등록번호 | NFEC-2024-06-298005 |
| I-tube등록번호 | - |
| 보유기관 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 연락처 | 054-279-0247 |
장비정보
| 모델명 | Nikon NSR-S204B | 제작사 | Nikon |
|---|---|---|---|
| 취득일자 | 2024-05-24 | 취득금액 | 3,723,500,000원 |
| 표준분류 | 기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 리소그래픽장비 | 활용용도 | 시험 |
| 장비위치 |
경상북도 포항시 남구 청암로 77 포항공과대학교 나노융합기술원 F2층 클린룸호
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| 장비설명 |
1. 용도
가. SiC 및 GaN 전력반도체 소자의 대전류 특성 구현하기 위한 nm-scale 미세 패터닝 공정 - 8인치 SiC 웨이퍼 및 GaN HEMT 구조 웨이퍼를 대상으로 단파장 레이저 소스를 사용하는 lithography 표준공정 개발 - 1,200V 급 SiC 기반 전력반도체 및 650급 GaN 기반 전력반도체 nm 수준 미세패턴 표준공정 개발 나. 8인치 웨이퍼 대면적 와이드 밴드갭 반도체 소자 제작의 공정 지원 - 전력반도체 제조기업의 시제품 제작 및 기술사업화 지원 2. 원리 및 특징 가. 8인치 SiC 웨이퍼 및 GaN HEMT 구조 웨이퍼를 대상으로 대전류 특성 구현하기 위한 nm-scale 미세 패터닝 가능 나. SiC 전력반도체의 경우 좁은 셀 pitch를 통한 대전류 특성을 구현, GaN의 경우 대전류 특성과 높은 스위칭 속도 구현 가능 |
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| 구성 및 기능 |
1. 장비 구성
- KrF excimer laser (248nm) - Reduction Ratio= 1:4 - Numerical Aperture: 0.68 - Field Size: 25x33㎜(Y- scan) - Various Aperture: Annular, Conventional - Wafer size: 8 inch (flat) 2. 주요 사양 - Resolution: ＜= 180nm - Exposure Power: 400㎽/㎠ or more (Flash) - Illumination Uniformity: Within ＋－ 2.0% - Stepping Precision: Within ＋－ 0.030nm (3∂) |
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| 사용/활용예 | |||
| 이용안내 | |||
| 유의사항 | |||
이용료안내
| 담당자에게 문의하시기 바랍니다. |
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